參數(shù)資料
型號： STGD7NB60KT4
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:DO-214AA; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Reel Quantity:2500; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:65V; Capacitance:50pF; Holding Current:150mA
中文描述： N溝道600V的IGBT的第7A TO-220/TO-220FP/DPAK/D2PAK POWERMESH
文件頁數(shù)： 9/14頁
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代理商： STGD7NB60KT4
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STGP7NB60K/STGP7NB60KFP/STGD7NB60K/STGP7NB60KD/STGB7NB60KD/STGP7NB60KDFP
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
4.4
4.6
0.173
0.181
B
2.5
2.7
0.098
0.106
D
2.5
2.75
0.098
0.108
E
0.45
0.7
0.017
0.027
F
0.75
1
0.030
0.039
F1
1.15
1.7
0.045
0.067
F2
1.15
1.7
0.045
0.067
G
4.95
5.2
0.195
0.204
G1
2.4
2.7
0.094
0.106
H
10
10.4
0.393
0.409
L2
16
0.630
L3
28.6
30.6
1.126
1.204
L4
9.8
10.6
0.385
0.417
L6
15.9
16.4
0.626
0.645
L7
9
9.3
0.354
0.366
3
3.2
0.118
0.126
L2
A
B
D
E
H
G
L6
ˉ
F
L3
G
1 2 3
F
F
L7
L4
TO-220FP MECHANICAL DATA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGP7NB60KDFP CAPACITOR, BESTCAP 45 MILLI FARAD 4.5VCAPACITOR, BESTCAP 45 MILLI FARAD 4.5V; Capacitance:45mF; Voltage rating, DC:4.5V; Capacitor dielectric type:Electronic; Series:BestCap; Temp, op. max:70(degree C); Temp, op. min:-20(degree C);
STGD7NB60K N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220/FP/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT
STGP7NB60KFP N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220/FP/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT
STGP7NB60K N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220/FP/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT
STGD7NB60St4 N-CHANNEL 7A - 600V DPAK Power MESH IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGD7NB60MT4 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 7 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGD7NB60S 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 7 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGD7NB60ST4 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 7 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGD7NC60H 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Transistor IGBT N-Ch 600V 25A DPAK
STGD7NC60HT4 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 14 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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