參數(shù)資料
型號(hào)： STGD7NB60KT4
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:DO-214AA; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Reel Quantity:2500; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:65V; Capacitance:50pF; Holding Current:150mA
中文描述： N溝道600V的IGBT的第7A TO-220/TO-220FP/DPAK/D2PAK POWERMESH
文件頁數(shù)： 10/14頁
文件大?。?/td> 710K
代理商： STGD7NB60KT4
STGP7NB60K/STGP7NB60KFP/STGD7NB60K/STGP7NB60KD/STGB7NB60KD/STGP7NB60KDFP
10/14
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
2.20
2.40
0.087
0.094
A1
0.90
1.10
0.035
0.043
A2
0.03
0.23
0.001
0.009
B
0.64
0.90
0.025
0.035
B2
5.20
5.40
0.204
0.213
C
0.45
0.60
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0.024
C2
0.48
0.60
0.019
0.024
D
6.00
6.20
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0.244
E
6.40
6.60
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0.260
G
4.40
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H
9.35
10.10
0.368
0.398
L2
0.8
0.031
L4
0.60
1.00
0.024
0.039
V2
0
o
8
o
0
o
0
o
P032P_B
TO-252 (DPAK) MECHANICAL DATA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGP7NB60KDFP CAPACITOR, BESTCAP 45 MILLI FARAD 4.5VCAPACITOR, BESTCAP 45 MILLI FARAD 4.5V; Capacitance:45mF; Voltage rating, DC:4.5V; Capacitor dielectric type:Electronic; Series:BestCap; Temp, op. max:70(degree C); Temp, op. min:-20(degree C);
STGD7NB60K N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220/FP/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT
STGP7NB60KFP N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220/FP/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT
STGP7NB60K N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220/FP/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT
STGD7NB60St4 N-CHANNEL 7A - 600V DPAK Power MESH IGBT
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參數(shù)描述
STGD7NB60MT4 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 7 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGD7NB60S 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 7 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGD7NB60ST4 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 7 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGD7NC60H 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Transistor IGBT N-Ch 600V 25A DPAK
STGD7NC60HT4 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 14 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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