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參數(shù)資料
| 型號： | STGD7NB60KT4 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:DO-214AA; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Reel Quantity:2500; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:65V; Capacitance:50pF; Holding Current:150mA |
| 中文描述： | N溝道600V的IGBT的第7A TO-220/TO-220FP/DPAK/D2PAK POWERMESH |
| 文件頁數(shù)： | 7/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 710K |
| 代理商： | STGD7NB60KT4 |
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STGP7NB60K/STGP7NB60KFP/STGD7NB60K/STGP7NB60KD/STGB7NB60KD/STGP7NB60KDFP
Fig. 2:
Test Circuit For Inductive Load Switching
Fig. 1:
Gate Charge test Circuit
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STGP7NB60KDFP | CAPACITOR, BESTCAP 45 MILLI FARAD 4.5VCAPACITOR, BESTCAP 45 MILLI FARAD 4.5V; Capacitance:45mF; Voltage rating, DC:4.5V; Capacitor dielectric type:Electronic; Series:BestCap; Temp, op. max:70(degree C); Temp, op. min:-20(degree C); |
| STGD7NB60K | N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220/FP/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT |
| STGP7NB60KFP | N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220/FP/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT |
| STGP7NB60K | N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220/FP/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT |
| STGD7NB60St4 | N-CHANNEL 7A - 600V DPAK Power MESH IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STGD7NB60MT4 | 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 7 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| STGD7NB60S | 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 7 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| STGD7NB60ST4 | 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 7 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| STGD7NC60H | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Transistor IGBT N-Ch 600V 25A DPAK |
| STGD7NC60HT4 | 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 14 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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