參數(shù)資料
型號： STGB7NC60HDT4
廠商： 意法半導體
英文描述： N-CHANNEL 14A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
中文描述： N溝道第14A - 600V的- TO-220/TO-220FP/DPAK非常IGBT的快速PowerMESH
文件頁數(shù)： 12/15頁
文件大?。?/td> 430K
代理商： STGB7NC60HDT4
STGP7NC60HD - STGF7NC60HD - STGB7NC60HD
12/15
DIM.
mm.
inch
MIN.
TYP
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
4.32
4.57
0.178
0.180
A1
0.00
0.25
0.00
0.009
b
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b2
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1.40
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0.055
c
0.46
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c2
1.22
1.40
0.048
0.055
D
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9.40
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D1
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E
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e
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H
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L
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L1
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L4
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V2
0
°
8
°
0
°
8
°
TO-263 (D
2
PAK) MECHANICAL DATA
相關PDF資料
PDF描述
STGF7NC60HD N-CHANNEL 14A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
STGP7NC60HD N-CHANNEL 14A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
STGD3NB60SDT4 N-CHANNEL 3A - 600V DPAK POWERMESH IGBT
STGD3NB60SD N-CHANNEL 3A - 600V DPAK Power MESH IGBT
STGD3NB60St4 24 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
STGB7NC60HT4 功能描述:IGBT 晶體管 IGBT 600 V Power Bipolar D2PAK Trans RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGB8NC60K 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V - 8A - D2PAK / DPAK / TO-220 Short circuit rated PowerMESH IGBT
STGB8NC60KD 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:600 V - 8 A - short circuit rugged IGBT
STGB8NC60KDT4 功能描述:IGBT 晶體管 N Ch 100V 0.033 Ohm 25A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGB8NC60KT4 功能描述:IGBT 晶體管 N Ch 1000V 2.5A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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