參數(shù)資料
型號(hào): STGB10NB40LZ
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT
中文描述: N通道鉗位20A條-采用D2PAK IGBT的內(nèi)部鉗位PowerMESH
文件頁數(shù): 8/10頁
文件大?。?/td> 481K
代理商: STGB10NB40LZ
STGB10NB40LZ
8/10
1
DIM.
mm.
inch
MIN.
TYP
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
4.4
4.6
0.173
0.181
A1
2.49
2.69
0.098
0.106
A2
0.03
0.23
0.001
0.009
B
0.7
0.93
0.027
0.036
B2
1.14
1.7
0.044
0.067
C
0.45
0.6
0.017
0.023
C2
1.23
1.36
0.048
0.053
D
8.95
9.35
0.352
0.368
D1
8
0.315
E
10
10.4
0.393
E1
8.5
0.334
G
4.88
5.28
0.192
0.208
L
15
15.85
0.590
0.625
L2
1.27
1.4
0.050
0.055
L3
1.4
1.75
0.055
0.068
M
2.4
3.2
0.094
0.126
R
0.4
0.015
V2
0o
8o
D
2
PAK MECHANICAL DATA
3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGB10NB40LZT4 N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT
STGB20NB32LZ-1 N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK/I2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH⑩ IGBT
STGB3NB60K N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT
STGD3NB60KT4 N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT
STGD3NB60K N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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STGB10NB60ST4 功能描述:IGBT 晶體管 N Ch 10A 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGB10NC60HD 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Transistor IGBT N-Ch 600V 20A D2PAK
STGB10NC60HD_0710 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V - 10A - TO-220 - D2PAK - TO-220FP very fast PowerMESH IGBT