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參數(shù)資料
| 型號： | STE48NM50 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | CAP 120PF 50V CERAMIC MONO 5% |
| 中文描述： | N溝道500V - 0.08ohm - 48A條⑩1000V的集電極的MDmesh功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 273K |
| 代理商： | STE48NM50 |
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STE48NM50
Source-drain Diode Forward Characteristics
Normalized On Resistance vs Temperature
Normalized Gate Thereshold Voltage vs Temp.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STE48NM60 | N-CHANNEL 600V 0.09 OHM 48A ISOTOP MDMESH POWER MOSFET |
| STE53NC50 | N-CHANNEL 500V - 0.070ohm - 53A ISOTOP PowerMesh⑩II MOSFET |
| STE53NA50 | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
| STF12PF06 | P-CHANNEL 60V - 0.18 ohm - 12A TO-220/TO-220FP STripFET II POWER MOSFET |
| STF9NK80Z | N-CHANNEL 800V -0.9ohm - 7.5A TO-220/TO-220FP Zener-Protected SuperMESH MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STE48NM60 | 功能描述:MOSFET N-CH 650V 48A ISOTOP RoHS:否 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:MDmesh™ 標準包裝:10 系列:* |
| STE50DE100 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT POWER MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| STE50DE100_07 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Hybrid emitter switched bipolar transistor ESBT 1000V - 50A - 0.026 ohm |
| STE50N40 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 400V V(BR)DSS | 50A I(D) |
| STE515AC | 制造商:CALIBER 制造商全稱:Caliber Electronics Inc. 功能描述:6 Pad Clipped Sinewave TCXO Oscillator |
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