參數(shù)資料
型號(hào)： STE48NM50
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： CAP 120PF 50V CERAMIC MONO 5%
中文描述： N溝道500V - 0.08ohm - 48A條⑩1000V的集電極的MDmesh功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/8頁
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代理商： STE48NM50
3/8
STE48NM50
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(CONTINUED)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
t
d(on)
Turn-on Delay Time
SWITCHING OFF
Symbol
t
r(Voff)
t
f
t
c
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
rrm
t
rr
Q
rr
I
rrm
Note: 1.
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
2. Pulse width limited by safe operating area.
Test Conditions
V
DD
= 250V, I
D
= 24 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
(see test circuit, Figure 3)
V
DD
= 400 V, I
D
= 48 A,
V
GS
= 10 V
Min.
Typ.
Max.
Unit
40
ns
t
r
Rise Time
35
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
87
117
nC
Gate-Source Charge
23
nC
Gate-Drain Charge
42
nC
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 400 V, I
D
= 48 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
(see test circuit, Figure 5)
Min.
Typ.
Max.
Unit
Off-voltage Rise Time
18
ns
Fall Time
23
ns
Cross-over Time
44
ns
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Source-drain Current
48
A
Source-drain Current (pulsed)
192
A
Forward On Voltage
I
SD
= 48 A, V
GS
= 0
I
SD
= 40 A, di/dt = 100A/μs,
V
DD
= 100 V, T
j
= 25°C
(see test circuit, Figure 5)
1.5
V
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
520
7.8
30
ns
μC
A
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
I
SD
= 40 A, di/dt = 100A/μs,
V
DD
= 100 V, T
j
= 150°C
(see test circuit, Figure 5)
680
11.2
33
ns
μC
A
Thermal Impedence
Safe Operating Area
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STE48NM60 N-CHANNEL 600V 0.09 OHM 48A ISOTOP MDMESH POWER MOSFET
STE53NC50 N-CHANNEL 500V - 0.070ohm - 53A ISOTOP PowerMesh⑩II MOSFET
STE53NA50 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STF12PF06 P-CHANNEL 60V - 0.18 ohm - 12A TO-220/TO-220FP STripFET II POWER MOSFET
STF9NK80Z N-CHANNEL 800V -0.9ohm - 7.5A TO-220/TO-220FP Zener-Protected SuperMESH MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STE48NM60 功能描述:MOSFET N-CH 650V 48A ISOTOP RoHS:否 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:MDmesh™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:*
STE50DE100 功能描述:兩極晶體管 - BJT POWER MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
STE50DE100_07 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Hybrid emitter switched bipolar transistor ESBT 1000V - 50A - 0.026 ohm
STE50N40 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 400V V(BR)DSS | 50A I(D)
STE515AC 制造商:CALIBER 制造商全稱:Caliber Electronics Inc. 功能描述:6 Pad Clipped Sinewave TCXO Oscillator
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