參數(shù)資料
型號(hào)： STE26N50
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR IN ISOTOP PACKAGE
中文描述： ? -通道增強(qiáng)型功率MOS器件中的ISOTOP封裝
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
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代理商： STE26N50
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 400 V
R
G
= 4.7
(see test circuit, figure 3)
I
D
= 26 A
V
GS
= 10 V
63
25
85
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
26
104
A
A
V
SD
(
)
t
rr
Forward On Voltage
I
SD
= 26 A
V
GS
= 0
1.4
V
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 26 A
V
DD
= 100 V
(see test circuit, figure 3)
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
o
C
850
23.5
55
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5%
(
) Pulse width limited by safe operating area
Safe Operating Area
Thermal Impedance
STE26N50
3/8
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PDF描述
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