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參數(shù)資料
| 型號： | STE26N50 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR IN ISOTOP PACKAGE |
| 中文描述： | ? -通道增強型功率MOS器件中的ISOTOP封裝 |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大小： | 154K |
| 代理商： | STE26N50 |
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thc-h
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Case-heatsink With Conductive
Grease Applied
Max
Max
0.42
0.05
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
I
D
= 1 mA
V
GS
= 0 V
500
V
I
DSS
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating x 0.8
V
GS
=
±
20 V
T
c
= 125
o
C
200
1
μ
A
mA
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
±
200
nA
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage V
DS
= V
GS
I
D
= 1 mA
2
4
V
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
V
GS
= 10V
I
D
= 13 A
0.2
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(
)
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
= 15 V
I
D
= 13 A
12
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V
f = 1 MHz
V
GS
= 0 V
6
1200
500
nF
pF
pF
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 250 V
R
G
= 4.7
(see test circuit, figure 1)
V
DD
= 400 V
R
G
= 4.7
(see test circuit, figure 3)
V
DD
= 400 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 13 A
V
GS
= 10 V
60
80
ns
ns
(di/dt)
on
Turn-on Current Slope
I
D
= 26 A
V
GS
= 10 V
450
A/
μ
s
Q
g
Total Gate Charge
I
D
= 26 A
275
nC
STE26N50
2/8
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STE40NC60 | N-CHANNEL 600V - 0.098ohm - 40A ISOTOP PowerMesh⑩II MOSFET |
| STE40NA60 | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
| STE45NK80ZD | N-CHANNEL 800V - 0.11ohm - 45 A ISOTOP Super FREDMesh MOSFET |
| STE48NM50 | CAP 120PF 50V CERAMIC MONO 5% |
| STE48NM60 | N-CHANNEL 600V 0.09 OHM 48A ISOTOP MDMESH POWER MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STE26NA90 | 功能描述:MOSFET N-CH 900V 26A ISOTOP RoHS:否 類別:半導體模塊 >> FET 系列:- 標準包裝:10 系列:* |
| STE26V | 制造商:Cooper Wiring Devices 功能描述: |
| STE2800-35T4MI | 功能描述:鉭質(zhì)電容器-濕式 2800uF 35volts 20% T4 case size RoHS:否 制造商:Vishay/Tansitor 電容:2800 uF 電壓額定值:35 V ESR:0.35 Ohms 容差:20 % 端接類型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 85 C 制造商庫存號:T4 Case 外殼直徑:9.52 mm 外殼長度:26.97 mm 外殼寬度: 外殼高度: 系列:STE 產(chǎn)品:Tantalum Wet Hermetically Sealed 封裝:Bulk |
| STe3 | 制造商:COMPACT INSTRUMENTS 功能描述:Electronic stethoscope kit |
| STE300 | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:Fittings Connector 3inch Male Aluminum |
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