參數(shù)資料
型號： STB75NH02L
廠商： 意法半導體
英文描述： N-CHANNEL 24V - 0.0062W -75A - D2PAK STripFET⑩ III POWER MOSFET
中文描述： N溝道24V的- 0.0062W - 75A條-采用D2PAK STripFET⑩三功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/8頁
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代理商： STB75NH02L
STB75NH02L
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Fig. 5:
Test Circuit For Inductive Load Switching
And Diode Recovery Times
Fig. 4:
Gate Charge test Circuit
Fig. 2:
Unclamped Inductive Waveform
Fig. 1:
Unclamped Inductive Load Test Circuit
Fig. 3:
Switching Times Test Circuit For
Resistive Load
相關PDF資料
PDF描述
STB7NC80ZT4 N-CHANNEL 800V - 1.3 OHM - 6.5A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK ZENER-PROTECTED POWERMESH III MOSFET
STB7NC80Z-1 New Generation Twisted Paired Multiconductor Audio Cable; Number of Conductors:4; Conductor Size AWG:22; No. Strands x Strand Size:7 x 30; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Shielding Material:Aluminum Foil/Polyester Tape
STB80NE03L-06-1 Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Solder; Body Material:Aluminum; Series:PC01; No. of Contacts:6; Connector Shell Size:10; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Cable Receptacle; Body Style:Straight
STB80NE06-10T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB
STB80NE06-10 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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STB76NF75 功能描述:MOSFET POWER MOSFET N-CH 75V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB76NF80 功能描述:MOSFET N-Ch 80 V .0095 ohm 80 A STripFET II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB7710 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
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