參數(shù)資料
型號： SPP80N03S2L-05
廠商： SIEMENS AG
英文描述： OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
中文描述： 的OptiMOS功率晶體管（馬鞍山型功率晶體管）
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 96K
代理商： SPP80N03S2L-05
2000-05-12
Page 6
SPP80N03S2L-05
SPB80N03S2L-05
Preliminary data
9 Drain-source on-state resistance
R
DS(on)
= f (T
j
)
parameter : I
D
= 55 A, V
GS
= 10 V
SPP80N03S2L-05
-60
-20
20
60
100
140
°C
T
j
200
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
W
15
R
D
typ
98%
10 Typ. capacitances
C= f (V
DS
)
parameter: V
GS
=0V, f=1 MHz
0
5
10
15
20
V
30
V
DS
2
10
3
10
4
10
pF
C
iss
C
rss
C
oss
11 Forward character. of reverse diode
I
F
= f(V
SD
)
parameter: T , t
p
= 80 μs
3
10
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
V
3.0
V
SD
0
10
1
10
2
10
A
SPP80N03S2L-05
I
F
T
j
= 25 °C typ
T
j
= 175 °C typ
T
j
= 25 °C (98%)
T
j
= 175 °C (98%)
12 Avalanche energy
E
AS
= f (T
j
)
par.: I
D
= 80 A , V
DD
= 25 V, R
GS
= 25
W
25
45
65
85
105
125
145
°C
185
T
j
0
50
100
150
200
250
mJ
350
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPP80N06S2L-051 OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
SPB80N06S2L-05 OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
SQC6100 TERRESTRIAL RECEIVER FOR DVB - T
SRD00217O GIGATRUE 550 CAT6 PATCH 2 FT, NON BOOT,LILAC
SRD00217N Ternary PIN Photodiode in Receptacle Package
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SPP80N03S2L05AKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A TO-220AB
SPP80N03S2L-06 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SPP80N03S2L06XK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
SPP80N04S2-04 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO-220 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPP80N04S2-H4 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO-220 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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