參數(shù)資料
型號： SPP80N03S2L-05
廠商： SIEMENS AG
英文描述： OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
中文描述： 的OptiMOS功率晶體管（馬鞍山型功率晶體管）
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 96K
代理商： SPP80N03S2L-05
2000-05-12
Page 3
SPP80N03S2L-05
SPB80N03S2L-05
Preliminary data
Electrical Characteristics
, at T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Conditions
Values
typ.
Unit
min.
max.
Dynamic Characteristics
Transconductance
g
fs
V
DS
3
2*I
D
*R
DS(on)max
,
I
D
=80A
55
110
-
S
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Gate resistance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
C
iss
C
oss
C
rss
R
G
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
GS
=0V, V
DS
=25V,
f=1MHz
-
-
-
-
-
-
-
-
2590
1025
205
1.75
10
50
44
20
3885
1540
308
-
15
75
66
30
pF
W
V
DD
=15V, V
GS
=10V,
I
D
=20A, R
G
=2.7
W
ns
Gate Charge Characteristics
Gate to source charge
Gate to drain charge
Gate charge total
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
DD
=24V, I
D
=40A
-
-
-
9.6
24.4
64.8
12
30.5
81
nC
V
DD
=24V, I
D
=40A,
V
GS
=0 to 10V
Gate plateau voltage
V
(plateau)V
DD
=24V, I
D
=40A
-
3.65
-
V
Reverse Diode
Inverse diode continuous
forward current
I
S
T
C
=25°C
-
-
80
A
Inverse diode direct current,
pulsed
I
SM
-
-
320
Inverse diode forward voltage
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
V
SD
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V,
I
F
=80A
-
-
-
0.95
38.6
44.8
1.26
58
76.2
V
ns
nC
V
R
=15V,
I
F=
l
S
,
di
F
/dt
=100A/μs
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPP80N06S2L-051 OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
SPB80N06S2L-05 OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
SQC6100 TERRESTRIAL RECEIVER FOR DVB - T
SRD00217O GIGATRUE 550 CAT6 PATCH 2 FT, NON BOOT,LILAC
SRD00217N Ternary PIN Photodiode in Receptacle Package
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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SPP80N03S2L-06 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SPP80N03S2L06XK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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