參數(shù)資料
型號: SPP80N03S2L-05
廠商: SIEMENS AG
英文描述: OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
中文描述: 的OptiMOS功率晶體管(馬鞍山型功率晶體管)
文件頁數(shù): 5/8頁
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代理商: SPP80N03S2L-05
2000-05-12
Page 5
SPP80N03S2L-05
SPB80N03S2L-05
Preliminary data
5 Typ. output characteristic
I
D
= f(V
DS
); T
j
=25°C
parameter:
t
p
= 80 μs
SPP80N03S2L-05
P
tot
= 154W
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
5.0
V
DS
0
20
40
60
80
100
120
140
160
A
190
I
D
VGS [V]
a
a
2.5
b
b
3.0
c
c
3.5
d
d
4.0
e
e
4.5
f
f
5.0
g
g
5.5
h
h
6.0
6 Typ. drain-source on resistance
R
DS(on)
=
f
(
I
D
)
parameter:
V
GS
SPP80N03S2L-05
0
20
40
60
80
100
120
140
A
I
D
180
0.000
0.002
0.004
0.006
0.008
0.010
0.012
0.014
W
0.018
R
D
V
GS
[V] =
c
3.5
c
d
d
4.0
e
e
4.5
f
f
5.0
g
g
5.5
h
h
6.0
7 Typ. transfer characteristics
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
3
2 x
I
D
x
R
DS(on)max
parameter:
t
p
= 80 μs
0
1
2
3
4
V
6
V
GS
0
25
50
75
100
125
150
175
200
A
250
D
8 Typ. forward transconductance
g
fs
= f(
I
D
);
T
j
=25°C
parameter:
g
fs
0
25
50
75
100 125 150 175 200
A
250
I
D
0
20
40
60
80
100
S
140
f
相關PDF資料
PDF描述
SPP80N06S2L-051 OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
SPB80N06S2L-05 OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
SQC6100 TERRESTRIAL RECEIVER FOR DVB - T
SRD00217O GIGATRUE 550 CAT6 PATCH 2 FT, NON BOOT,LILAC
SRD00217N Ternary PIN Photodiode in Receptacle Package
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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SPP80N04S2-H4 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO-220 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件