參數(shù)資料
型號(hào)： SPP80N03S2L-05
廠商： SIEMENS AG
英文描述： OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
中文描述： 的OptiMOS功率晶體管（馬鞍山型功率晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 96K
代理商： SPP80N03S2L-05
2000-05-12
Page 2
SPP80N03S2L-05
SPB80N03S2L-05
Preliminary data
Thermal Characteristics
Parameter
Symbol
Values
typ.
Unit
min.
max.
Characteristics
Thermal resistance, junction - case
SMD version, device on PCB:
R
thJC
R
thJA
-
-
-
-
-
-
0.97
62
40
K/W
@ min. footprint
@ 6 cm
2
cooling area
1)
Electrical Characteristics
, at T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
typ.
Unit
min.
max.
Static Characteristics
Drain-source breakdown voltage
V
GS
=0V, I
D
=1mA
Gate threshold voltage,
V
GS
=
V
DS
I
D
=100μA
Zero gate voltage drain current
V
(BR)DSS
30
-
-
V
V
GS(th)
1.2
1.6
2
V
DS
=30V,
V
GS
=0V,
T
j
=25°C
V
DS
=30V,
V
GS
=0V,
T
j
=125°C
Gate-source leakage current
I
DSS
-
-
0.01
10
1
100
μA
V
GS
=20V, V
DS
=0V
Drain-source on-state resistance
I
GSS
-
1
100
nA
V
GS
=4.5V, I
D
=55A
Drain-source on-state resistance
R
DS(on)
-
5.5
7.7
m
W
V
GS
=10V, I
D
=55A
R
DS(on)
-
3.9
5.4
1
Device on 40mm*40mm*1.5mm epoxy PCB FR4 with 6cm2 (one layer, 70 μm thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical without blown air.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPP80N06S2L-051 OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
SPB80N06S2L-05 OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
SQC6100 TERRESTRIAL RECEIVER FOR DVB - T
SRD00217O GIGATRUE 550 CAT6 PATCH 2 FT, NON BOOT,LILAC
SRD00217N Ternary PIN Photodiode in Receptacle Package
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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SPP80N03S2L-06 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SPP80N03S2L06XK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
SPP80N04S2-04 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO-220 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPP80N04S2-H4 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO-220 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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