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參數(shù)資料
| 型號： | SPP04N60S5 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Cool MOS Power Transistor(MOS 型功率晶體管) |
| 中文描述： | 4.5 A, 600 V, 0.95 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 6/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 136K |
| 代理商： | SPP04N60S5 |
Semiconductor Group
01 / 1999
6
SPP04N60S5
SPB04N60S5
Preliminary data
Drain-source on-resistance
R
DS(on)
= f (T
j
)
parameter : I
D
= 2.8 A, V
GS
= 10 V
SPP04N60S5
-60
-20
20
60
100
°C
180
T
j
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.4
R
D
typ
98%
Typ. output characteristic
I
D
= f(V
DS
);
T
j
=25°C
Parameter:
V
GS
0
4
8
12
16
20
V
V
DS
26
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
A
14
I
D
7V
9V
11V
13V
Typ. capacitances
C= f(V
DS
)
Parameter:
V
GS
=0 V,
f
=1 MHz
0
10
20
30
40
50
60
70
80
V
V
DS
100
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
pF
C
Ciss
Coss
Crss
Typ. transfer characteristics
I
D
=
f
(
V
GS
)
parameter:
t
p
= 80 μs
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
DS(on)max
1
3
5
7
9
11
13
15
17
V
V
GS
20
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
A
15
I
D
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| SPC-06502 | SMD POWER INDUCTORS |
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參數(shù)描述 |
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