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參數(shù)資料
| 型號： | SML100C4 |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode High Voltage Power MOSFET(Vdss:1000V,Id(cont):3.6A,Rds(on):4.00Ω)(N溝道增強型,高電壓功率MOS場效應(yīng)管(Vdss:1000V,Id(cont):9A,Rds(on):1.100Ω)) |
| 中文描述： | N溝道增強模式高壓功率MOSFET（減振鋼板基本：1000V的ID已（續(xù)）：3.6A時，RDS（上）：4.00Ω）（不適用溝道增強型，高電壓功率馬鞍山場效應(yīng)管（減振鋼板基本：1000V的ID已（續(xù)）：9A條的Rds（on）：1.100Ω）） |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 20K |
| 代理商： | SML100C4 |
Characteristic
Junction to Case
Junction to Ambient
Min.
Typ.
Max.
1.00
50
Unit
R
q
JC
R
q
JA
°C/W
THERMAL CHARACTERISTICS
SML100C4
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
http://www.semelab.co.uk相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| SML100H9 | N-Channel Enhancement Mode High Voltage Power MOSFET(Vdss:1000V,Id(cont):9A,Rds(on):1.100Ω)(N溝道增強型,高電壓功率MOS場效應(yīng)管(Vdss:1000V,Id(cont):9A,Rds(on):1.100Ω)) |
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| SML50A19 | N-Channel Enhancement Mode High Voltage Power MOSFET(Vdss:500V,Id(cont):18.5A,Rds(on):0.240Ω)(N溝道增強型,高電壓功率MOS場效應(yīng)管(Vdss:500V,Id(cont):18.5A,Rds(on):0.240Ω)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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