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參數(shù)資料
| 型號： | SKM50GB063D |
| 廠商： | SEMIKRON INTERNATIONAL |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | SEMITRANS M Superfast NPT-IGBT Modules |
| 中文描述： | 70 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | CASE D 61, SEMITRANS 2, 7 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 215K |
| 代理商： | SKM50GB063D |
by SEMIKRON
B 6 – 9
M50GB06.XLS-12
0
20
40
60
80
100
0
2
4
6
8
10
12
14
V
GE
V
I
C
A
M50GB06.X LS-10
0
20
40
60
80
100
0
1
2
3
4
5
V
CE
V
I
C
A
17V
15V
13V
11V
9V
7V
M50GB06.X LS-9
0
20
40
60
80
100
0
1
2
3
4
5
V
CE
V
I
C
A
17V
15V
13V
11V
9V
7V
M50GB06.X LS-8
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
20
40
60
80
100
120
140
160
T
C
°C
I
C
A
P
cond(t)
= V
CEsat(t
) · I
C(t)
V
CEsat(t)
= V
CE(TO)(Tj)
+ r
CE(Tj)
· I
C(t)
V
CE(TO)(Tj)
≤
1,2 - 0,001 (T
j
–25) [V]
typ.: r
CE(Tj)
= 0,018 + 0,00008 (T
j
–25) [
]
max.: r
CE(Tj)
=
0,026 + 0,00008 (T
j
–25) [
]
valid for V
GE
= + 15
[V]; I
C
≥
0,3 I
Cnom
Fig. 9 Typ. output characteristic, t
p
= 250 μs; T
j
= 25 °C
Fig. 10 Typ. output characteristic, t
p
= 250 μs; T
j
= 125 °C
Fig. 8 Rated current vs. temperature I
C
= f (T
C
)
+2
–1
Fig. 11 Saturation characteristic (IGBT)
Calculation elements and equations
Fig. 12 Typ. transfer characteristic, t
p
= 80 μs; V
CE
= 20 V
T
j
= 150 °C
V
GE
≥
15V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SKM50GB100D | SEMITRANS M Superfast NPT-IGBT Modules |
| SKM50GAL100D | SEMITRANS M Superfast NPT-IGBT Modules |
| SKM50GB101D | SEMITRANS M IGBT Modules |
| SKM50GAL121D | SEMITRANS M IGBT Modules |
| SKM50GAR121D | SEMITRANS M IGBT Modules |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SKM50GB063D_06 | 制造商:SEMIKRON 制造商全稱:Semikron International 功能描述:Superfast NPT-IGBT Modules |
| SKM50GB063D_10 | 制造商:SEMIKRON 制造商全稱:Semikron International 功能描述:Superfast NPT-IGBT Modules |
| SKM50GB100D | 制造商:SEMIKRON 制造商全稱:Semikron International 功能描述:SEMITRANS M Superfast NPT-IGBT Modules |
| SKM50GB101D | 制造商:SEMIKRON 制造商全稱:Semikron International 功能描述:SEMITRANS M IGBT Modules |
| SKM50GB121D | 制造商:SEMIKRON 制造商全稱:Semikron International 功能描述:SEMITRANS M IGBT Modules |
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