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參數(shù)資料
| 型號： | skb10n60 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | Fast S-IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT) |
| 中文描述： | 快速的S - IGBT的不擴(kuò)散核武器條約與軟，恢復(fù)快反平行快恢復(fù)二極管（不擴(kuò)散技術(shù)中的快速第S - IGBT技術(shù)） |
| 文件頁數(shù)： | 8/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 296K |
| 代理商： | SKB10N60 |
SKP10N60
SKB10N60, SKW10N60
8
Mar-00
V
G
,
G
-
E
0nC
25nC
Q
GE
,
GATE CHARGE
50nC
75nC
0V
5V
10V
15V
20V
25V
480V
120V
C
,
C
0V
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 18. Typical capacitance as a
function of collector-emitter voltage
(
V
GE
= 0V,
f
= 1MHz)
10V
20V
30V
10pF
100pF
1nF
C
rss
C
oss
C
iss
Figure 17. Typical gate charge
(
I
C
= 10A)
t
s
,
S
10V
11V
12V
13V
14V
15V
0
μ
s
5
μ
s
10
μ
s
15
μ
s
20
μ
s
25
μ
s
I
C
,
S
10V
12V
V
GE
,
GATE
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 20. Typical short circuit collector
current as a function of gate-emitter voltage
(
V
CE
≤
600V,
T
j
= 150
°
C)
14V
16V
18V
20V
0A
50A
100A
150A
200A
V
GE
,
GATE
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 19. Short circuit withstand time as a
function of gate-emitter voltage
(
V
CE
= 600V, start at
T
j
= 25
°
C)
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PDF描述 |
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