參數(shù)資料
型號(hào)： SI5465EDC
廠(chǎng)商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
中文描述： P溝道12 V的（副）MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 5/5頁(yè)
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代理商： SI5465EDC
Si5465EDC
Vishay Siliconix
Document Number: 71360
S-21251—Rev. D, 05-Aug-02
www.vishay.com
2-5
TYPICAL CHARACTERISTICS (25
_
C UNLESS NOTED)
10
--3
10
--2
1
10
10
--1
10
--4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI5473DC P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI5473DC-T1 P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI5475DC P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI5475DC-T1 P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI5486DUV N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI5465EDC-T1 功能描述:MOSFET 12V 7A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI5465EDC-T1-E3 功能描述:MOSFET 12V 7A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI54-680 制造商:DELTA 制造商全稱(chēng):Delta Electronics, Inc. 功能描述:SMT Power Inductor
SI5468DC 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Si5468DC-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 6.0A 5.7W 28mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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