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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SI5465EDC |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
| 中文描述： | P溝道12 V的（副）MOSFET的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 110K |
| 代理商： | SI5465EDC |
Si5465EDC
Vishay Siliconix
www.vishay.com
2-2
Document Number: 71360
S-21251—Rev. D, 05-Aug-02
SPECIFICATIONS (T
J
= 25
_
C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Static
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
= --1 mA
--0.45
V
Gate-Body Leakage
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
4.5 V
1.5
Zero Gate Voltage Drain Current
I
DSS
V
DS
= --9.6 V, V
GS
= 0 V
--1
m
A
V
DS
= --9.6 V, V
GS
= 0 V, T
J
= 85
_
C
--5
On-State Drain Current
a
I
D(on)
V
DS
--5 V, V
GS
= --4.5 V
V
GS
= --4.5 V, I
D
= --5.0 A
--20
A
0.030
0.037
Drain-Source On-State Resistance
a
r
DS(on)
V
GS
= --2.5 V, I
D
= --4.5 A
0.040
0.048
V
GS
= --1.8 V, I
D
= --2 A
0.052
0.065
Forward Transconductance
a
g
fs
V
DS
= --5 V, I
D
= --5.0 A
15
S
Diode Forward Voltage
a
V
SD
I
S
= --1.1 A, V
GS
= 0 V
--0.8
--1.2
V
Dynamic
b
Total Gate Charge
Q
g
13.5
20
Gate-Source Charge
Q
gs
V
DS
= --6 V, V
GS
= --4.5 V, I
D
= --5.0 A
2.8
nC
Gate-Drain Charge
Q
gd
4.5
Turn-On Delay Time
t
d(on)
2.5
3.5
Rise Time
t
r
V
= --6 V, R
= 6
I
D
--1 A, V
GEN
= --4.5 V, R
G
= 6
5.7
8.0
m
S
Turn-Off Delay Time
t
d(off)
30
40
Fall Time
t
f
21.5
30
Notes
a.
b.
Pulse test; pulse width
≤
300
m
s, duty cycle
≤
2%.
m
Guaranteed by design, not subject to production testing.
TYPICAL CHARACTERISTICS (25
_
C UNLESS NOTED)
0
4
8
12
16
20
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
10
V
GS
= 4.5 thru 2.5 V
T
C
= --55
_
C
125
_
C
1.5 V
25
_
C
Output Characteristics
Transfer Characteristics
V
DS
-- Drain-to-Source Voltage (V)
-
I
D
V
GS
-- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
D
1 V
2 V
0.5 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI5473DC | P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
| SI5473DC-T1 | P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
| SI5475DC | P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
| SI5475DC-T1 | P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
| SI5486DUV | N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SI5465EDC-T1 | 功能描述:MOSFET 12V 7A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI5465EDC-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 12V 7A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI54-680 | 制造商:DELTA 制造商全稱(chēng):Delta Electronics, Inc. 功能描述:SMT Power Inductor |
| SI5468DC | 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| Si5468DC-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 6.0A 5.7W 28mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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