參數(shù)資料
型號： SI5465EDC
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
中文描述： P溝道12 V的（副）MOSFET的
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 110K
代理商： SI5465EDC
Si5465EDC
Vishay Siliconix
Document Number: 71360
S-21251—Rev. D, 05-Aug-02
www.vishay.com
2-3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25
_
C UNLESS NOTED)
-
r
D
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
0
2
4
6
8
10
12
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
12
0
5
10
15
20
25
30
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0
4
8
12
16
20
V
DS
-- Drain-to-Source Voltage (V)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 6 V
I
D
= 5.0 A
I
D
-- Drain Current (A)
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 5.0 A
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 1.8 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
-
Q
g
-- Total Gate Charge (nC)
C
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
-- Junction Temperature (
_
C)
(
-
r
D
)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0
1
2
3
4
5
6
7
8
T
J
= 150
_
C
I
D
= 5.0 A
20
10
0.01
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
-
r
D
)
V
SD
-- Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
-- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
S
V
GS
= 4.5 V
T
J
= 25
_
C
1
0.1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI5473DC P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI5473DC-T1 P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI5475DC P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI5475DC-T1 P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI5486DUV N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI5465EDC-T1 功能描述:MOSFET 12V 7A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI5465EDC-T1-E3 功能描述:MOSFET 12V 7A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI54-680 制造商:DELTA 制造商全稱:Delta Electronics, Inc. 功能描述:SMT Power Inductor
SI5468DC 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Si5468DC-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 6.0A 5.7W 28mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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