參數(shù)資料
型號： SI5465EDC
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
中文描述： P溝道12 V的（副）MOSFET的
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 110K
代理商： SI5465EDC
Si5465EDC
Vishay Siliconix
www.vishay.com
2-4
Document Number: 71360
S-21251—Rev. D, 05-Aug-02
TYPICAL CHARACTERISTICS (25
_
C UNLESS NOTED)
0
30
50
10
20
P
Single Pulse Power
Time (sec)
40
1
100
600
10
10
--1
10
--2
10
--3
10
--3
10
--2
1
10
600
10
--1
10
--4
100
--0.2
--0.1
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= --1 mA
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
-- Temperature (
_
C)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 80
_
C/W
3. T
JM
-- T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
V
GS
-- Gate-to-Source Voltage (V)
0.0001
10
10,000
0.1
1
Gate-Source Voltage vs. Gate Current
1,000
1
20
10
0.10
0
200
400
600
800
1000
0
2
4
6
8
10
12
T
A
= 25
_
C
Gate-Source Voltage vs. Gate Current
V
GS
-- Gate-to-Source Voltage (V)
100
0.01
0.001
150
_
C
25
_
C
(
I
G
m
A
(
I
G
m
A
相關PDF資料
PDF描述
SI5473DC P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI5473DC-T1 P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI5475DC P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI5475DC-T1 P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI5486DUV N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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SI5465EDC-T1-E3 功能描述:MOSFET 12V 7A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI54-680 制造商:DELTA 制造商全稱:Delta Electronics, Inc. 功能描述:SMT Power Inductor
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