參數(shù)資料
型號(hào)： SI4933DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
中文描述： 雙P溝道12 V的（副）MOSFET的
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大小： 44K
代理商： SI4933DY
Si4933DY
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71980
S-22122
—
Rev. B, 25-Nov-02
www.vishay.com
5
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
10
- 3
10
- 2
1
10
10
- 1
10
- 4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4953DY Dual P-Channel 30-V(D-S) MOSFET
Si4953DY-T1 Dual P-Channel 30-V(D-S) MOSFET
SI4953ADY Dual p-channel SO-8 low-rDS(on) MOSFET
SI4953DY Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
SI4955DY-T1-E3 Asymmetrical Dual P-Channel 30-V/20-V (D-S) MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI4933DY-T1 功能描述:MOSFET 12V 9.8A 1.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4933DY-T1-E3 功能描述:MOSFET DUAL P-CH 12V (D-S) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4933DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 12V 9.8A 2.0W 14mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4936 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
SI4936ADY 功能描述:MOSFET 30V 5.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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