參數(shù)資料
型號(hào)： SI4933DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
中文描述： 雙P溝道12 V的（副）MOSFET的
文件頁數(shù)： 3/5頁
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代理商： SI4933DY
Si4933DY
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71980
S-22122
—
Rev. B, 25-Nov-02
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
-
r
D
)
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
0
2
4
6
8
10
12
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
0
10
20
30
40
50
0.000
0.005
0.010
0.015
0.020
0.025
0.030
0
6
12
18
24
30
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
C
oss
C
iss
V
DS
= 6 V
I
D
= 9.8 A
I
D
- Drain Current (A)
V
GS
= 4.5 V
I
D
V
GS
= 2.5 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
-
Q
g
- Total Gate Charge (nC)
C
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
- Junction Temperature ( C)
(
-
r
D
)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.000
0.005
0.010
0.015
0.020
0.025
0.030
0
1
2
3
4
5
T
J
= 150 C
I
D
= 9.8 A
30
10
1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
-
r
D
)
V
SD
- Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
S
T
J
= 25 C
V
GS
= 1.8 V
C
rss
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 3 A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4953DY Dual P-Channel 30-V(D-S) MOSFET
Si4953DY-T1 Dual P-Channel 30-V(D-S) MOSFET
SI4953ADY Dual p-channel SO-8 low-rDS(on) MOSFET
SI4953DY Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
SI4955DY-T1-E3 Asymmetrical Dual P-Channel 30-V/20-V (D-S) MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI4933DY-T1 功能描述:MOSFET 12V 9.8A 1.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4933DY-T1-E3 功能描述:MOSFET DUAL P-CH 12V (D-S) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4933DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 12V 9.8A 2.0W 14mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4936 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
SI4936ADY 功能描述:MOSFET 30V 5.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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