參數(shù)資料
型號(hào)： SI4511DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： P-Channel 20-V (D-S) MOSFET,Low-Threshold
中文描述： P通道20V（D-S）MOSFET 低閾值
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大?。?/td> 77K
代理商： SI4511DY
Si4511DY
Vishay Siliconix
Document Number: 72223
S-41496—Rev. B, 09-Aug-04
www.vishay.com
7
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
P-CHANNEL
0.4
0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
Threshold Voltage
T
J
Temperature ( C)
I
D
= 250 A
V
V
0
15
30
5
10
P
Single Pulse Power
Time (sec)
25
10
3
10
2
1
10
600
10
1
10
4
100
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 85 C/W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
1
100
600
10
10
1
10
2
20
Safe Operating Area
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
100
1
0.1
1
10
100
0.01
10
T
= 25 C
Single Pulse
I
D
P(t) = 10
dc
0.1
I
DM
Limited
I
Limited
r
DS(on)
Limited
BV
DSS
Limited
P(t) = 1
P(t) = 0.1
P(t) = 0.01
P(t) = 0.001
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Si4511DY-E3 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET,Low-Threshold
Si4511DY-T1-E3 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET,Low-Threshold
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SI4702DY-T1 Load Switch with Level-Shift
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參數(shù)描述
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SI4511DY-T1-E3 功能描述:MOSFET +20/-20V +9.6/-6.2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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