參數(shù)資料
型號(hào)： SI4511DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： P-Channel 20-V (D-S) MOSFET,Low-Threshold
中文描述： P通道20V（D-S）MOSFET 低閾值
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 77K
代理商： SI4511DY
Si4511DY
Vishay Siliconix
Document Number: 72223
S-41496—Rev. B, 09-Aug-04
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
NCHANNEL
r
0
8
16
24
32
40
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0
0.00
8
16
24
32
40
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
0
2
4
6
8
10
0
3
6
9
12
15
18
21
24
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0.000
0.005
0.010
0.015
0.020
0
8
16
24
32
40
0
400
800
1200
1600
2000
0
4
8
12
16
20
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
I
V
GS
= 10 thru 4 V
V
GS
Gate-to-Source Voltage (V)
I
25 C
T
C
= 125 C
V
Q
g
Total Gate Charge (nC)
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
C
C
rss
C
oss
C
iss
)
I
D
Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
Junction Temperature ( C)
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
2 V
3 V
55 C
V
DS
= 10 V
I
D
= 9.6 A
V
GS
= 10 V
I
D
= 9.6 A
r
D
(
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Si4511DY-E3 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET,Low-Threshold
Si4511DY-T1-E3 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET,Low-Threshold
SI4702DY Load Switch with Level-Shift
SI4702DY-T1 Load Switch with Level-Shift
SI4804BDY Dual N-Channel MOSFET; 100% Rg test; PWM optimized;
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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SI4511DY-T1 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:
SI4511DY-T1-E3 功能描述:MOSFET +20/-20V +9.6/-6.2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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