參數(shù)資料
型號： SI4511DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： P-Channel 20-V (D-S) MOSFET,Low-Threshold
中文描述： P通道20V（D-S）MOSFET 低閾值
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 77K
代理商： SI4511DY
Si4511DY
Vishay Siliconix
www.vishay.com
4
Document Number: 72223
S-41496—Rev. B, 09-Aug-04
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
NCHANNEL
V
GS
Gate-to-Source Voltage (V)
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.2
0.4
50
25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
1.0
1.2
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0
1
2
3
4
5
1
10
40
I
D
= 9.6 A
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
Temperature ( C)
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
r
D
)
V
SD
Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
0
20
30
10
15
P
Single Pulse Power
Time (sec)
25
1
100
600
10
10
1
10
2
5
I
D
= 3 A
Safe Operating Area
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
100
1
0.1
1
10
100
0.01
10
T
= 25 C
Single Pulse
I
D
P(t) = 10
dc
0.1
I
DM
Limited
I
Limited
r
DS(on)
Limited
BV
DSS
Limited
P(t) = 1
P(t) = 0.1
P(t) = 0.01
P(t) = 0.001
P(t) = 0.0001
相關PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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