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參數(shù)資料
| 型號： | SI4511DY |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET,Low-Threshold |
| 中文描述： | P通道20V（D-S）MOSFET 低閾值 |
| 文件頁數(shù)： | 6/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 77K |
| 代理商： | SI4511DY |
Si4511DY
Vishay Siliconix
www.vishay.com
6
Document Number: 72223
S-41496—Rev. B, 09-Aug-04
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
P-CHANNEL
r
D
)
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
0
4
8
12
16
20
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
0
3
6
9
12
15
18
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0
8
16
24
32
40
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 10 V
I
D
= 6.2 A
I
D
Drain Current (A)
V
GS
= 4.5 V
I
D
V
GS
= 2.5 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
Q
g
Total Gate Charge (nC)
C
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
Junction Temperature ( C)
(
r
D
)
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0
1
2
3
4
5
I
D
= 6.2 A
40
10
1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
r
D
)
V
SD
Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
Gate-to-Source Voltage (V)
I
S
V
GS
= 4.5 V
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Si4511DY-E3 | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET,Low-Threshold |
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參數(shù)描述 |
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