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參數(shù)資料
| 型號： | SI4113M-EVB |
| 廠商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件頁數(shù)： | 36/36頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | BOARD EVALUATION FOR SI4113 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| 類型： | 合成器 |
| 適用于相關(guān)產(chǎn)品： | SI4113 |
| 已供物品： | 板，CD |
| 其它名稱： | 336-1100 |
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Si4133
Rev. 1.61
9
RF1 Harmonic Suppression
Second Harmonic
—
–26
–20
dBc
RF2 Harmonic Suppression
—
–26
–20
dBc
IF Harmonic Suppression
—
–26
–20
dBc
RFOUT Power Level
ZL = 50
–8
–3
1
dBm
RFOUT Power Level2
Z
L = 50RF1 active,
Extended frequency
operation
–14
–7
1
dBm
IFOUT Power Level
ZL = 50
–8
–4
0
dBm
RF1 Output Reference Spurs
Offset = 200 kHz
—
–65
—
dBc
Offset = 400 kHz
—
–71
—
dBc
Offset = 600 kHz
—
–75
—
dBc
RF2 Output Reference Spurs
Offset = 200 kHz
—
–65
—
dBc
Offset = 400 kHz
—
–71
—
dBc
Offset = 600 kHz
—
–75
—
dBc
Powerup Request to Synthesizer Ready3
Time
tpup
Figures 4, 5
—
40/f
50/f
Powerdown Request to Synthesizer Off4
Time
tpdn
Figures 4, 5
—
100
ns
Table 5. RF and IF Synthesizer Characteristics (Continued)
(VDD = 2.7 to 3.6 V, TA = –40 to 85 °C)
Parameter1
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Notes:
1. f = 200 kHz, RF1 = 1.6 GHz, RF2 = 1.2 GHz, IFOUT = 550 MHz, LPWR = 0, for all parameters unless otherwise noted.
2. Extended frequency operation only. VDD 3.0 V, QFN only, VCO Tuning Range fixed by directly shorting the RFLA and
RFLB pins. See Application Note 41 for more details on the Si4133 extended frequency operation.
3. From powerup request (PWDN
or SEN during a write of 1 to bits PDIB and PDRB in Register 2) to RF and IF
synthesizers ready (settled to within 0.1 ppm frequency error).
4. From powerdown request (PWDN
, or SENduring a write of 0 to bits PDIB and PDRB in Register 2) to supply current
equal to IPWDN.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GLAA01A | SWITCH SIDE-ROTRY SNAP SPDT |
| EK64904-11 | KIT EVAL FOR 64904 W/CABLES |
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| ZMN2405HPDB-C | ADDITIONAL ZMN2405HP DEVELOPMENT |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SI4114DY | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI4114DY_09 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| Si4114DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 20A 5.7W 6.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| Si4114DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 20A 5.7W 6.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| Si4114G-B-GM | 功能描述:射頻無線雜項 GSM Freq Synthesizr for Dir Conversn RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel |
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