DD = 2.7 to 3.6 V, T
<ins id="5snmn"><acronym id="5snmn"></acronym></ins>
    參數(shù)資料
    型號(hào)： SI4113M-EVB
    廠商： Silicon Laboratories Inc
    文件頁數(shù)： 33/36頁
    文件大?。?/td> 0K
    描述： BOARD EVALUATION FOR SI4113
    標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
    類型： 合成器
    適用于相關(guān)產(chǎn)品： SI4113
    已供物品： 板，CD
    其它名稱： 336-1100
    Si4133
    6
    Rev. 1.61
    Figure 1. SCLK Timing Diagram
    Table 4. Serial Interface Timing
    (V
    DD = 2.7 to 3.6 V, TA = –40 to 85 °C)
    Parameter1
    Symbol
    Test Condition
    Min
    Typ
    Max
    Unit
    SCLK Cycle Time
    tclk
    40
    —
    ns
    SCLK Rise Time
    tr
    —
    50
    ns
    SCLK Fall Time
    t
    f
    —
    50
    ns
    SCLK High Time
    th
    10
    —
    ns
    SCLK Low Time
    tl
    10
    —
    ns
    SDATA Setup Time to SCLK
    2
    t
    su
    5
    —
    ns
    SDATA Hold Time from SCLK
    2
    thold
    0
    —
    ns
    SEN
    to SCLKDelay Time2
    ten1
    10
    —
    ns
    SCLK
    to SENDelay Time2
    t
    en2
    12
    —
    ns
    SEN
    to SCLKDelay Time2
    ten3
    12
    —
    ns
    SEN Pulse Width
    tw
    10
    —
    ns
    Notes:
    1. All timing is referenced to the 50% level of the waveforms unless otherwise noted.
    2. Timing is not referenced to 50% level of the waveform. See Figure 2.
    SCLK
    80%
    20%
    50%
    t
    r
    t
    f
    t
    l
    t
    clk
    t
    h
    相關(guān)PDF資料
    PDF描述
    GLAA01A SWITCH SIDE-ROTRY SNAP SPDT
    EK64904-11 KIT EVAL FOR 64904 W/CABLES
    GLEB24B SWITCH TOP PLUNGER SNAP DPDT
    ZMN2405HPDB-C ADDITIONAL ZMN2405HP DEVELOPMENT
    DR7002-DK 3G DEVELOPMENT KIT 418 MHZ
    相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
    參數(shù)描述
    SI4114DY 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
    SI4114DY_09 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
    Si4114DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 20A 5.7W 6.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
    Si4114DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 20A 5.7W 6.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
    Si4114G-B-GM 功能描述:射頻無線雜項(xiàng) GSM Freq Synthesizr for Dir Conversn RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel
    發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

    采購需求

    (若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

    發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

    發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

    *型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
    添加更多采購

    我的聯(lián)系方式

    *
    *
    *