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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SI4113M-EVB |
| 廠商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件頁數(shù)： | 20/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | BOARD EVALUATION FOR SI4113 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| 類型： | 合成器 |
| 適用于相關(guān)產(chǎn)品： | SI4113 |
| 已供物品： | 板，CD |
| 其它名稱： | 336-1100 |
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Si4133
Rev. 1.61
27
5. Pin Descriptions: Si4133-GT
Pin Number
Name
Description
1
SCLK
Serial clock input
2
SDATA
Serial data input
3
GNDR
Common ground for RF analog circuitry
4
RFLD
Pins for inductor connection to RF2 VCO
5
RFLC
Pins for inductor connection to RF2 VCO
6
GNDR
Common ground for RF analog circuitry
7
RFLB
Pins for inductor connection to RF1 VCO
8
RFLA
Pins for inductor connection to RF1 VCO
9
GNDR
Common ground for RF analog circuitry
10
GNDR
Common ground for RF analog circuitry
11
RFOUT
Radio frequency (RF) output of the selected RF VCO
12
VDDR
Supply voltage for the RF analog circuitry
13
AUXOUT
Auxiliary output
14
PWDN
Powerdown input pin
15
XIN
Reference frequency amplifier input
16
GNDD
Common ground for digital circuitry
17
VDDD
Supply voltage for digital circuitry
18
GNDD
Common ground for digital circuitry
19
IFLA
Pins for inductor connection to IF VCO
20
IFLB
Pins for inductor connection to IF VCO
21
GNDI
Common ground for IF analog circuitry
22
IFOUT
Intermediate frequency (IF) output of the IF VCO
23
VDDI
Supply voltage for IF analog circuitry
24
SEN
Enable serial port input
124
223
322
421
520
619
718
817
916
10
15
11
14
12
13
SCLK
SDATA
GNDR
RFLD
RFLC
RFLB
GNDR
RFLA
GNDR
RFOUT
VDDR
SEN
VDDI
IFOUT
GNDI
IFLB
IFLA
GNDD
VDDD
GNDD
XIN
PWDN
AUXOUT
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GLAA01A | SWITCH SIDE-ROTRY SNAP SPDT |
| EK64904-11 | KIT EVAL FOR 64904 W/CABLES |
| GLEB24B | SWITCH TOP PLUNGER SNAP DPDT |
| ZMN2405HPDB-C | ADDITIONAL ZMN2405HP DEVELOPMENT |
| DR7002-DK | 3G DEVELOPMENT KIT 418 MHZ |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SI4114DY | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI4114DY_09 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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| Si4114DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 20A 5.7W 6.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| Si4114G-B-GM | 功能描述:射頻無線雜項(xiàng) GSM Freq Synthesizr for Dir Conversn RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel |
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