參數(shù)資料
型號(hào)： SI4113M-EVB
廠(chǎng)商： Silicon Laboratories Inc
文件頁(yè)數(shù)： 14/36頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： BOARD EVALUATION FOR SI4113
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
類(lèi)型： 合成器
適用于相關(guān)產(chǎn)品： SI4113
已供物品： 板，CD
其它名稱(chēng)： 336-1100
Si4133
Rev. 1.61
21
4. Control Registers
Note: Registers 9–15 are reserved. Writes to these registers might result in unpredictable behavior. Registers not listed here
are reserved and should not be written.
Table 12. Register Summary
Register Name
Bit
17
Bit
16
Bit
15
Bit
14
Bit
13
Bit
12
Bit
11
Bit
10
Bit
9
Bit
8
Bit
7
Bit
6
Bit
5
Bit
4
Bit
3
Bit
2
Bit
1
Bit
0
0
Main
Configura-
tion
00
0
AUXSEL
[1:0]
IFDIV
[1:0]
00
0
LPWR
0
AUTO
PDB
AUTO
KP
RF
PWR
0
1
Phase
Detector
Gain
0
00
0
KPI[1:0]
KP2[1:0]
KP1[1:0]
2
Powerdown
0
PDIB
PDRB
3RF1
N-Divider
NRF1[17:0]
4RF2
N-Divider
0NRF2[16:0]
5IF N-Divider
0
NIF[15:0]
6RF1
R-Divider
00
0
RRF1[12:0]
7RF2
R-Divider
00
0
RRF2[12:0]
8
IF R-Divider
0
RIF[12:0]
9
Reserved
.
15
Reserved
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GLAA01A SWITCH SIDE-ROTRY SNAP SPDT
EK64904-11 KIT EVAL FOR 64904 W/CABLES
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參數(shù)描述
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SI4114DY_09 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
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Si4114DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 20A 5.7W 6.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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