參數(shù)資料
型號： SGW50N60HS
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： High Speed IGBT in NPT-technology
中文描述： 在不擴(kuò)散核武器條約高高速IGBT的技術(shù)
文件頁數(shù)： 10/11頁
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代理商： SGW50N60HS
SGW50N60HS
Power Semiconductors
10
Rev. 2.1 June 06
Figure A. Definition of switching times
Figure B. Definition of switching losses
p(t)
1
2
n
T (t)
τ
1
r
1
τ
2
r
2
n
n
τ
r
T
C
r
r
r
Figure D. Thermal equivalent
circuit
Figure E. Dynamic test circuit
Leakage inductance
L
σ
=55nH
and Stray capacity
C
σ
=40pF.
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PDF描述
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