參數(shù)資料
型號(hào)： SGW25N120
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Fast IGBT in NPT-technology
中文描述： 在不擴(kuò)散核武器條約快速IGBT技術(shù)
文件頁(yè)數(shù)： 4/11頁(yè)
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代理商： SGW25N120
SGW25N120
Power Semiconductors
4
Jul-02
I
C
,
C
10Hz
100Hz
f
,
SWITCHING FREQUENCY
Figure 1. Collector current as a function of
switching frequency
(
T
j
≤
150
°
C,
D =
0.5,
V
CE
= 800V,
V
GE
= +15V/0V,
R
G
= 22
)
1kHz
10kHz
100kHz
0A
20A
40A
60A
80A
100A
T
C
=110°C
T
C
=80°C
I
C
,
C
1V
10V
100V
1000V
0.1A
1A
10A
100A
DC
1ms
200
μ
s
50
μ
s
15
μ
s
t
p
=1
μ
s
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 2. Safe operating area
(
D =
0,
T
C
= 25
°
C,
T
j
≤
150
°
C)
P
t
,
P
25°C
50°C
75°C
100°C
125°C
0W
50W
100W
150W
200W
250W
300W
350W
I
C
,
C
25°C
50°C
T
C
,
CASE TEMPERATURE
75°C
100°C
125°C
0A
10A
20A
30A
40A
50A
60A
T
C
,
CASE TEMPERATURE
Figure 3. Power dissipation as a function
of case temperature
(
T
j
≤
150
°
C)
Figure 4. Collector current as a function of
case temperature
(
V
GE
≤
15V,
T
j
≤
150
°
C)
I
c
I
c
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