參數(shù)資料
型號： SGW25N120
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Fast IGBT in NPT-technology
中文描述： 在不擴(kuò)散核武器條約快速IGBT技術(shù)
文件頁數(shù)： 10/11頁
文件大小： 380K
代理商： SGW25N120
SGW25N120
Power Semiconductors
10
Jul-02
Figure A. Definition of switching times
I
r r m
90%
I
r r m
10%
I
r r m
di
/dt
r r
di /dt
t
r r
I
F
i,v
t
Q
S
Q
F
t
S
t
F
V
R
Q =Q
Q
S
F
+
t =t
t
S
F
+
Figure C. Definition of diodes
switching characteristics
p(t)
1
2
n
T (t)
τ
1
r
1
τ
2
r
2
n
n
τ
r
T
C
r
r
r
Figure D. Thermal equivalent
circuit
Figure B. Definition of switching losses
Figure E. Dynamic test circuit
Leakage inductance L
σ
=180nH,
and stray capacity C
σ
=40pF.
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PDF描述
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