參數(shù)資料
型號: SGL5N60RUFD
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: CO-PAK IGBT(CO-PAK絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
中文描述: 8 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝: TO-264, 3 PIN
文件頁數(shù): 7/8頁
文件大?。?/td> 369K
代理商: SGL5N60RUFD
Fig.12 Typical Forward Voltage Drop
vs. Forward Current
Fig.13 Typical Reverse Recovery Time
vs. di/dt
Fig.14 Typical Reverse Recovery Current
vs. di/dt
Fig.15 Typical Stored Charge vs. di/dt
100
1000
20
40
60
80
100
Tc = 25
&
Tc = 100
&
V
R
= 200V
I
F
= 8A
T
-di/dt [A/us]
100
1000
1
10
100
V
R
=200V
I
F
=8A
Tc = 100
&
Tc = 25
&
I
-di/dt [A/us]
100
1000
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
V
R
= 200V
I
F
= 8A
Tc=25
&
Tc=100
&
Q
-di/dt [A/us]
0.1
1
10
100
0
1
2
3
Tc = 100
&
Tc = 25
&
Forward Voltage Drop V
F
[V]
F
F
CO-PAK IGBT
SGL5N60RUFD
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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SGL60N90DG3M2TU 功能描述:IGBT 晶體管 900V/60A/wFRD TO-264 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube