參數(shù)資料
型號(hào): SGL5N60RUFD
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: CO-PAK IGBT(CO-PAK絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
中文描述: 8 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝: TO-264, 3 PIN
文件頁數(shù): 5/8頁
文件大小: 369K
代理商: SGL5N60RUFD
0.00001
0.0001
0.001
Rectangular Pulse Duration [sec]
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
single pulse
T
Fig.5 Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case
Fig.6 Typical Capacitance vs.
Collector to Emitter Voltage
Fig.7 Typical Gate Charge vs.
Gate to Emitter Voltage
1
10
100
200
300
400
500
600
Cres
Coes
Cies
C
Vce [V]
0
5
10
15
20
25
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
Vcc = 300V
Ic = 5A
V
G
Qg [nC]
Pdm
t1
t2
Duty factor D = t1 / t2
Peak Tj = Pdm x Zthjc + Tc
CO-PAK IGBT
SGL5N60RUFD
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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SGM2N60UF Ultrafast IGBT
SGP100 Primary-side-control PWM Controller
SGP100SZ Primary-side-control PWM Controller
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參數(shù)描述
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SGL60N90D 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:IGBT CO-PAK (High Speed Switching Low Saturation Voltage High Input Impedance)
SGL60N90DG3 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:General Description
SGL60N90DG3M1TU 功能描述:IGBT 晶體管 900V/60A/wFRD TO-264 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGL60N90DG3M2TU 功能描述:IGBT 晶體管 900V/60A/wFRD TO-264 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube