參數(shù)資料
型號: SGL5N60RUFD
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: CO-PAK IGBT(CO-PAK絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
中文描述: 8 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝: TO-264, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/8頁
文件大小: 369K
代理商: SGL5N60RUFD
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (DIODE PART)
(T
c
=25
°
C,Unless Otherwise Specified)
Min
Test Conditions
I
F
=8.0A
I
F
=8.0A, V
R
=200V
-di/dt=200A/uS
Tc =25
°
C
Tc =100
°
C
Tc =25
°
C
Tc =100
°
C
Tc =25
°
C
Tc =100
°
C
Tc =25
°
C
Tc =100
°
C
Characteristics
Diode Forward Voltage
Diode Reverse
Recovery Time
Diode Peak Reverse
Recovery Current
Diode Reverse
Recovery Charge
Symbol
V
FM
Trr
Irr
Qrr
-
-
-
-
-
-
-
-
Typ
1.4
1.3
37
55
3.5
4.5
65
124
Max
1.7
-
55
-
5.0
-
138
-
Units
V
nS
A
nC
THERMAL RESISTANCE
Symbol
R
θ
JC
R
θ
JC
R
θ
JA
R
θ
CS
Characteristics
Junction-to-Case (IGBT)
Junction-to-Case (DIODE)
Junction-to-Ambient
Case-to-Sink
Units
°
C/W
°
C/W
°
C/W
°
C/W
Typ
-
-
-
0.2
Max
2.0
3.5
25
-
Min
-
-
-
-
CO-PAK IGBT
SGL5N60RUFD
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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SGL60N90DG3M2TU 功能描述:IGBT 晶體管 900V/60A/wFRD TO-264 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube