參數(shù)資料
型號： SGH80N60
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： Ultra-Fast IGBT
中文描述： 超快速IGBT
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大小： 557K
代理商： SGH80N60
SGH80N60UF Rev. A1
S
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
0.3
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
500
Single Nonrepetitive
Pulse T
C
= 25
℃
Curves must be derated
linearly with increase
in temperature
50us
100us
1
DC Operation
I
C
MAX. (Continuous)
I
C
MAX. (Pulsed)
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
Fig 14. Gate Charge Characteristics
Fig 15. SOA Characteristics
Fig 16. Turn-Off SOA Characteristics
Fig 13. Switching Loss vs. Collector Current
0
30
60
90
120
150
180
0
3
6
9
12
15
300 V
200 V
V
CC
= 100 V
Common Emitter
R
L
= 7.5
T
C
= 25
℃
G
G
Gate Charge, Q
g
[ nC ]
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
1E-3
0.01
0.1
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
single pulse
T
℃
/
Rectangular Pulse Duration [sec]
Pdm
t1
t2
Duty factor D = t1 / t2
Peak Tj = Pdm
×
Zthjc + T
C
Fig 17. Transient Thermal Impedance of IGBT
1
10
100
1000
1
10
100
500
Safe Operating Area
V
GE
=20V, T
C
=100
o
C
C
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
0
10
20
30
40
50
60
70
80
10
100
1000
3000
Eon
Eoff
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
R
G
= 5
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
S
Collector Current, I
C
[A]
相關PDF資料
PDF描述
SGH80N60UF CONNECTOR ACCESSORY
SGL10N60RUFD CO-PAK IGBT(CO-PAK絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
SGL15N60RUFD CO-PAK IGBT(CO-PAK絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
SGL160N60UFD 240 x 320 pixel format (Portrait Mode), CFL Backlight available with power harness
SGL160N60UF CONNECTOR ACCESSORY
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