參數(shù)資料
型號： SGF80N60UFD
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： CO-PAK IGBT(CO-PAK絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
中文描述： 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： TO-3PF, 3 PIN
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 358K
代理商： SGF80N60UFD
Fig.12 Typical Forward Voltage Drop
vs. Forward Current
Fig.13 Typical Reverse Recovery Time
vs. di/dt
Fig.14 Typical Reverse Recovery Current
vs. di/dt
Fig.15 Typical Stored Charge vs. di/dt
1
10
100
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
Tc = 100
&
Tc = 25
&
Forward Voltage Drop V
F
[V]
F
F
100
1000
20
40
60
80
100
120
V
R
= 200V
I
F
= 25A
Tc = 25
&
Tc = 100
&
T
-di/dt [A/us]
100
1000
1
10
100
V
R
= 200V
I
F
= 25A
Tc = 100
&
Tc = 25
&
I
-di/dt [A/us]
100
1000
0
200
400
600
800
1000
V
R
= 200V
I
F
= 25A
Tc = 25
&
Tc = 100
&
Q
-di/dt [A/us]
SGF80N60UFD
CO-PAK IGBT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGF80N60UF CONNECTOR ACCESSORY
SGH10N120RUF Short Circuit Rated IGBT
SGH10N120RUFD Short Circuit Rated IGBT
SGH10N60RUFD Short Circuit Rated IGBT(短路電流額定的絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
SGH13N60UFD 240 x 320 pixel format (Portrait Mode), CFL Backlight available with power harness
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SGF80N60UFTU 功能描述:IGBT 晶體管 Discrete Hi-P IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGF9 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:For C to X-band Local Oscillator and Amplifier
SGFEB1024-120-NA 制造商:TRANSITION NETWORKS 功能描述:Transition Stand-Alone - Media converter - 10Base-T, 1000Base-LX, 100Base-TX, 10
SGFHCB-36M0000000 功能描述:VCXO振蕩器 36MHz 100ppm 0C +70C RoHS:否 制造商:Fox 封裝 / 箱體:5 mm x 3.2 mm 頻率:19.2 Mhz 頻率穩(wěn)定性:2.5 PPM 輸出格式: 封裝:Reel 電源電壓:3 V 端接類型:SMD/SMT 尺寸:3.2 mm W x 5 mm L x 1.5 mm H 最小工作溫度:- 20 C 最大工作溫度:+ 75 C
SGFHEA-24.000MHZ 制造商:VTI Technologies 功能描述:CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 24 MHZ, CMOS/TTL OUTPUT
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