參數(shù)資料
型號： SGF80N60UFD
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： CO-PAK IGBT(CO-PAK絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
中文描述： 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： TO-3PF, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 358K
代理商： SGF80N60UFD
Fig.1 Typical Load Current vs. Frequency
Fig.2 Typical Output Characteristics
Fig.3 Maximum Collector Current vs.
Case Temperature
Fig.4 Collector to Emitter Voltage vs.
Case Temperature
20
40
60
80
Tc [
&
]
100
120
140
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
2.8
3.0
3.2
Ic = 40A
Ic =80A
V
0
2
4
6
8
10
0
50
100
150
200
250
300
Tc = 100
&
Tc = 25
&
I
Vce [V]
0
20
40
60
80
100
25
50
75
100
125
150
Vge = 15V
Tc [
&
]
M
0
10
20
30
40
50
60
0.1
1
10
100
1000
Duty cycle : 50%
Tc = 100
&
Power Dissipation = 60W
Vcc = 300V
Load Current : peak of square wave
Frequency [kHz]
L
SGF80N60UFD
CO-PAK IGBT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGF80N60UF CONNECTOR ACCESSORY
SGH10N120RUF Short Circuit Rated IGBT
SGH10N120RUFD Short Circuit Rated IGBT
SGH10N60RUFD Short Circuit Rated IGBT(短路電流額定的絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
SGH13N60UFD 240 x 320 pixel format (Portrait Mode), CFL Backlight available with power harness
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SGF80N60UFTU 功能描述:IGBT 晶體管 Discrete Hi-P IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGF9 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:For C to X-band Local Oscillator and Amplifier
SGFEB1024-120-NA 制造商:TRANSITION NETWORKS 功能描述:Transition Stand-Alone - Media converter - 10Base-T, 1000Base-LX, 100Base-TX, 10
SGFHCB-36M0000000 功能描述:VCXO振蕩器 36MHz 100ppm 0C +70C RoHS:否 制造商:Fox 封裝 / 箱體:5 mm x 3.2 mm 頻率:19.2 Mhz 頻率穩(wěn)定性:2.5 PPM 輸出格式: 封裝:Reel 電源電壓:3 V 端接類型:SMD/SMT 尺寸:3.2 mm W x 5 mm L x 1.5 mm H 最小工作溫度:- 20 C 最大工作溫度:+ 75 C
SGFHEA-24.000MHZ 制造商:VTI Technologies 功能描述:CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 24 MHZ, CMOS/TTL OUTPUT
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