參數(shù)資料
型號(hào)： SGF80N60UFD
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： CO-PAK IGBT(CO-PAK絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
中文描述： 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： TO-3PF, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大?。?/td> 358K
代理商： SGF80N60UFD
Fig.5 Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case
Fig.6 Typical Capacitance vs.
Collector to Emitter Voltage
Fig.7 Typical Gate Charge vs.
Gate to Emitter Voltage
1
10
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
Cres
Coes
Cies
C
Vce [V]
0
40
80
120
160
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
Vcc = 300V
Ic = 40A
V
G
Qg [nC]
(
(
(
VLQJOHSXOVH
7
5HFWDQJXODU3XOVH'XUDWLQ>VHF@
Pdm
t1
t2
Duty factor D = t1 / t2
Peak Tj = Pdm x Zthjc + Tc
SGF80N60UFD
CO-PAK IGBT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGF80N60UF CONNECTOR ACCESSORY
SGH10N120RUF Short Circuit Rated IGBT
SGH10N120RUFD Short Circuit Rated IGBT
SGH10N60RUFD Short Circuit Rated IGBT(短路電流額定的絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
SGH13N60UFD 240 x 320 pixel format (Portrait Mode), CFL Backlight available with power harness
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SGF80N60UFTU 功能描述:IGBT 晶體管 Discrete Hi-P IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGF9 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:For C to X-band Local Oscillator and Amplifier
SGFEB1024-120-NA 制造商:TRANSITION NETWORKS 功能描述:Transition Stand-Alone - Media converter - 10Base-T, 1000Base-LX, 100Base-TX, 10
SGFHCB-36M0000000 功能描述:VCXO振蕩器 36MHz 100ppm 0C +70C RoHS:否 制造商:Fox 封裝 / 箱體:5 mm x 3.2 mm 頻率:19.2 Mhz 頻率穩(wěn)定性:2.5 PPM 輸出格式: 封裝:Reel 電源電壓:3 V 端接類型:SMD/SMT 尺寸:3.2 mm W x 5 mm L x 1.5 mm H 最小工作溫度:- 20 C 最大工作溫度:+ 75 C
SGFHEA-24.000MHZ 制造商:VTI Technologies 功能描述:CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 24 MHZ, CMOS/TTL OUTPUT
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