參數(shù)資料
型號： SFP9640
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： P-Channel Power MOSFET(漏源電壓為-200V的P溝道功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述： 11 A, 200 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 257K
代理商： SFP9640
P-C HANNEL
POWER MOSFET
Fig 7. Breakdown Voltage vs. Temperature
Fig 8. On-Resistance vs. Temperature
Fig 11. Thermal Response
Fig 10. Max. Drain Current vs. Case Temperature
Fig 9. Max. Safe Operating Area
P
DM
.
t
1.
t
2.
SFP9640
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
@ Notes :
1. V
GS
= -10 V
2. I
D
= -5.5 A
R
D
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= -250
μ
A
-
D
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
12
-
D
T
c
, Case Temperature [
o
C]
10
0
10
1
10
2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10 ms
DC
1 ms
0.1 ms
@ Notes :
1. T
C
= 25
o
C
2. T
J
= 150
o
C
3. Single Pulse
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
-
D
-V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
10
-5
10
-4
t
1
, Square Wave Pulse Duration [sec]
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
single pulse
0.2
0.1
0.01
0.02
0.05
D=0.5
@ Notes :
1. Z
θ
JC
(t)=1.02
o
C/W Max.
2. Duty Factor, D=t
1
/t
2
3. T
JM
-T
C
=P
DM
*Z
θ
JC
(t)
Z
θ
J
(
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SFR9210F Advanced Power MOSFET
SFT1002 100 AMP HIGH SPEED NPN TRANSISTOR 250 VOLTS
SFT1004 100 AMP HIGH SPEED NPN TRANSISTOR 250 VOLTS
SFT1010 100 amp HIGH ENERGY NPN TRANSISTORS
SFT1012 100 amp HIGH ENERGY NPN TRANSISTORS
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參數(shù)描述
SFP9640H 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SFP9640L 功能描述:MOSFET PCh/200V/11a/0.5Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SFP9644 功能描述:MOSFET PCh/250V/8.6a/0.8Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SFP9N50 制造商:WINSEMI 制造商全稱:WINSEMI 功能描述:Silicon N-Channel MOSFET
SFP9Z14 功能描述:MOSFET P-CH/60V/6.7A/0.5OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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