參數(shù)資料
型號： SFP9640
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： P-Channel Power MOSFET(漏源電壓為-200V的P溝道功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述： 11 A, 200 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大?。?/td> 257K
代理商： SFP9640
P-C HANNEL
POWER MOSFET
Fig 1. Output Characteristics
Fig 2. Transfer Characteristics
Fig 6. Gate Charge vs. Gate-Source Voltage
Fig 5. Capacitance vs. Drain-Source Voltage
Fig 4. Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig 3. On-Resistance vs. Drain Current
SFP9640
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
10
1
@ Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
o
C
V
GS
Top : - 15 V
- 10 V
- 8.0 V
- 7.0 V
- 6.0 V
- 5.5 V
- 5.0 V
Bottom : - 4.5 V
-
D
-V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
25
o
C
150
o
C
- 55
o
C
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. V
DS
= -40 V
3. 250
μ
s Pulse Test
-
D
-V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
0
7
14
21
28
35
42
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
@ Note : T
J
= 25
o
C
V
GS
= -20 V
V
GS
= -10 V
R
D
]
D
-I
D
, Drain Current [A]
0.5
1.0
1.5
-V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
10
-1
10
0
10
1
150
o
C
25
o
C
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. 250
μ
s Pulse Test
-
D
0
10
20
30
40
50
0
5
10
V
DS
= -160 V
V
DS
= -100 V
V
DS
= -40 V
@ Notes : I
D
=-11 A
-
G
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
10
0
10
1
0
500
1000
1500
2000
2500
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
-V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SFR9210F Advanced Power MOSFET
SFT1002 100 AMP HIGH SPEED NPN TRANSISTOR 250 VOLTS
SFT1004 100 AMP HIGH SPEED NPN TRANSISTOR 250 VOLTS
SFT1010 100 amp HIGH ENERGY NPN TRANSISTORS
SFT1012 100 amp HIGH ENERGY NPN TRANSISTORS
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參數(shù)描述
SFP9640H 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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SFP9644 功能描述:MOSFET PCh/250V/8.6a/0.8Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SFP9N50 制造商:WINSEMI 制造商全稱:WINSEMI 功能描述:Silicon N-Channel MOSFET
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