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STL-3-600-8-01

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠(chǎng)商
  • 封裝
  • 批號(hào)
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  • STL-3-600-8-01
    STL-3-600-8-01

    STL-3-600-8-01

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話(huà)：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Essentra Components

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共2條 
  • 1
STL-3-600-8-01 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • TWIST LOK STANDOFF 1/2 X 1.28"
  • RoHS
  • 是
  • 類(lèi)別
  • 線(xiàn)纜，導(dǎo)線(xiàn) - 管理 >> 線(xiàn)夾和夾具
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 100
  • 系列
  • TC
  • 類(lèi)型
  • C-夾
  • 開(kāi)口尺寸
  • 0.79" L x 0.54" W x 0.67" H（20.1mm x 13.7mm x 17.0mm）
  • 安裝類(lèi)型
  • 釘子
  • 材質(zhì)
  • 聚丙烯
  • 顏色
  • 黑
STL-3-600-8-01 技術(shù)參數(shù)
  • STL35N6F3 功能描述:MOSFET N-CH 60V 44A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:35A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:22 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:80W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL35N15F3 功能描述:MOSFET N-CH 150V 33A POWERFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:33A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:40 毫歐 @ 3.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:49.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1905pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL34N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 3.2A PWRFLAT88 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:22.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 12A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:62.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2700pF @ 100V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:4-PowerFlat? HV 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（8x8） HV 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL33N65M2 功能描述:N-CHANNEL 650 V, 0.124 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:154 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:41.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1790pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（8x8） HV 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL33N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 21.5A PWRFLAT88 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:22A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:135 毫歐 @ 10.75A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:47nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1700pF @ 100V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（8x8） HV 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL3NM60N STL3P6F6 STL40C30H3LL STL40DN3LLH5 STL40N10F7 STL40N75LF3 STL42N65M5 STL42P4LLF6 STL42P6LLF6 STL-450-3-01 STL-450-3-19 STL-450-8-01 STL45N65M5 STL45P3LLH6 STL4LN80K5 STL4N10F7 STL4N80K5 STL4P2UH7
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