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STL62P3LLH6

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • STL62P3LLH6
    STL62P3LLH6

    STL62P3LLH6

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人:張先生

    電話:0755-23903058

    地址:深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 16800

  • ST/意法

  • DFN56

  • 22+

  • -
  • 每一片都來自原廠,正品保證

  • STL62P3LLH6
    STL62P3LLH6

    STL62P3LLH6

  • 深圳市鵬展勝電子有限公司
    深圳市鵬展勝電子有限公司

    聯(lián)系人:林先生

    電話:180-3814-3894

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道佳和大廈A座2801

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 7666

  • ST(意法)

  • 原裝正品

  • 23/24+

  • -
  • 只做原裝正品 假一賠十 現(xiàn)貨

  • STL62P3LLH6
    STL62P3LLH6

    STL62P3LLH6

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 13595

  • STMICROEL

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • STL62P3LLH6
    STL62P3LLH6

    STL62P3LLH6

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • STL62P3LLH6
    STL62P3LLH6

    STL62P3LLH6

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人:張小姐

    電話:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田區(qū)華強路華強廣場D座16層16B

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 6007

  • ST/意法半導(dǎo)體

  • PowerFLAT-5x6-8

  • 21+

  • -
  • 原裝正品現(xiàn)貨 可開增值稅發(fā)票

  • 1/1頁 40條/頁 共12條 
  • 1
STL62P3LLH6 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET P-CH 30V 62A 8POWERFLAT
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • STripFET? H6
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 62A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 10.5 毫歐 @ 7A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 1V @ 250μA(最?。?/li>
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
  • 33nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
  • 3350pF @ 25V
  • 功率 - 最大值
  • 100W
  • 工作溫度
  • 175°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerSMD,扁平引線
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • PowerFlat?(5x6)
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
STL62P3LLH6 技術(shù)參數(shù)
  • STL60P4LLF6 功能描述:MOSFET P-CH 40V 60A 8POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F6 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):60A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14 毫歐 @ 6.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA(最?。?不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):34nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3525pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL60NH3LL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 16A PWRFLAT6X5 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):30A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8.5 毫歐 @ 8A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):24nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1810pF @ 25V 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(6x5) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL60N3LLH5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):60A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7.1 毫歐 @ 8.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1290pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL60N32N3LL 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 32A/60A PWRFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 N 溝道(雙)非對稱型 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):32A,60A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):9.2 毫歐 @ 6.8A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):950pF @ 25V 功率 - 最大值:23W,50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL60N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V 12A PWRFLAT5X6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VII 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):46A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):18 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):25nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1640pF @ 50V 功率 - 最大值:72W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL66N3LLH5 STL-6-750-3-01 STL-6-750-8-01 STL6N2VH5 STL6N3LLH6 STL6NM60N STL6P3LLH6 STL70N10F3 STL70N4LLF5 STL72 STL73 STL73D STL73D-AP STL-750-3-01 STL-750-8-01 STL75N3LLZH5 STL75N8LF6 STL75NH3LL
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