STL-600-3-01

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

STL-600-3-01
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
Essentra Components
標(biāo)準(zhǔn)封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝正品

1/1頁 40條/頁共4條
1

您是不是要找： STL-600-8-01 STL60N10F7 STL60N32N3LL STL60N3LLH5 STL60NH3LL STL60P4LLF6 STL-6-250-3-01 STL-6-250-8-01 STL62P3LLH6

STL-600-3-01 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

STL-600-3-01 PDF下載

功能描述
TWIST LOK STANDOFF 3/16 X 1.28"
RoHS
是
類別
線纜，導(dǎo)線 - 管理 >> 線夾和夾具
系列
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝
100
系列
TC
類型
C-夾
開口尺寸
0.79" L x 0.54" W x 0.67" H（20.1mm x 13.7mm x 17.0mm）
安裝類型
釘子
材質(zhì)
聚丙烯
顏色
黑

STL-600-3-01 技術(shù)參數(shù)

STL58N3LLH5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，STripFET? H5 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:64A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9 毫歐 @ 7.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:10nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:950pF @ 25V 功率 - 最大值:62.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL57N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.3A（Ta），22.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:69 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:110nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4200pF @ 100V 功率 - 最大值:189W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFLAT?（8x8）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL56N3LLH5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:56A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9 毫歐 @ 7.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:950pF @ 25V 功率 - 最大值:62.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL55NH3LL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 55A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:55A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8.8 毫歐 @ 7.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:12nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:965pF @ 25V 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（6x5）標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 STL52N25M5 功能描述:MOSFET N-CH 250V 28A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:28A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:65 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:47nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1770pF @ 50V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL-6-350-3-01 STL-6-350-8-01 STL-6-450-3-01 STL-6-450-8-01 STL65DN3LLH5 STL65N3LLH5 STL-6-600-3-01 STL-6-600-8-01 STL66DN3LLH5 STL66N3LLH5 STL-6-750-3-01 STL-6-750-8-01 STL6N2VH5 STL6N3LLH6 STL6NM60N STL6P3LLH6 STL70N10F3 STL70N4LLF5