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STL3N65M2

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

STL3N65M2
深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話：2394575513590206539
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓4A68-2室
18000
ST
PowerFLAT-
2022+
-
原裝正品，公司現(xiàn)貨庫存假一罰十，電話：0...

STL3N65M2
深圳市銘昌源科技有限公司
深圳市銘昌源科技有限公司
聯(lián)系人：優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨代理商
電話：0755-82774613鄧先生（13480915249）微信同步0755-82774613鄧先生
地址：深圳市福田區(qū)工發(fā)路上步管理大廈501棟501室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
58350
STMicroelectronics
SMD
22+
-
優(yōu)勢(shì)代理，公司現(xiàn)貨可開票

STL3N65M2
深圳市華盛錦科技有限公司
深圳市華盛錦科技有限公司
聯(lián)系人：雷小姐
電話：0755-2391507123915070（承諾只售原裝正品，終端BOM配單一站式服務(wù)）
地址：華強(qiáng)街道賽格廣場(chǎng)55樓5566室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
65200
ST/意法
PowerFLAT-3.3x3.3-HV
2020+
-
大中華區(qū)授權(quán)代理可接受訂貨

STL3N65M2
中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：155020706551802218672813590991023
地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號(hào)金盛廣場(chǎng)1棟613室
10000
ST
DIP/SOP
19+
-
公司全新原裝正品,QQ153058080...

STL3N65M2
深圳市鵬展勝電子有限公司
深圳市鵬展勝電子有限公司
聯(lián)系人：林先生
電話：135-3814-2003
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道佳和大廈A座2801
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
13012
ST(意法)
原裝正品
23/24+
-
只做原裝正品假一賠十現(xiàn)貨

STL3N65M2
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場(chǎng)D座16層18B
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
6004
ST/意法半導(dǎo)體
3.3x3.3-HV-8
21+
-
原裝正品現(xiàn)貨可開增值稅發(fā)票

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STL3N65M2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

STL3N65M2 技術(shù)參數(shù)

STL3N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT22 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:7.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:408pF @ 25V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-PowerWDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（2x2）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL38N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 22.5A PWRFLAT8X 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.5A（Ta），22.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:105 毫歐 @ 12.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:71nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3000pF @ 100V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-PowerFlat? HV 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（8x8） HV 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL36N55M5 功能描述:MOSFET N-CH 550V 22.5A 4PWRFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:550V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:22.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 16.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:62nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2670pF @ 100V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-PowerFlat? HV 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（8x8） HV 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL36DN6F7 功能描述:MOSFET 2 N-CH 60V 33A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:33A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:27 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:420pF @ 30V 功率 - 最大值:58W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL35N6F3 功能描述:MOSFET N-CH 60V 44A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:35A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:22 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:80W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL42P4LLF6 STL42P6LLF6 STL-450-3-01 STL-450-3-19 STL-450-8-01 STL45N65M5 STL45P3LLH6 STL4LN80K5 STL4N10F7 STL4N80K5 STL4P2UH7 STL4P3LLH6 STL50DN6F7 STL50N6F7 STL50NH3LL STL51N3LLH5 STL52N25M5 STL55NH3LL