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STL4P2UH7

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠(chǎng)商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • STL4P2UH7
    STL4P2UH7

    STL4P2UH7

  • 深圳市海天鴻電子科技有限公司
    深圳市海天鴻電子科技有限公司

    聯(lián)系人:彭小姐、劉先生、李小姐

    電話(huà):0755-82552857-80913528851884(周日專(zhuān)線(xiàn))

    地址:深圳市福田區(qū)中航路中航北苑大廈A座22A3號(hào)

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 7500

  • ST

  • 原廠(chǎng)原裝

  • 1716+

  • -
  • 只做原裝 一手貨源,代理商分銷(xiāo)庫(kù)存

  • STL4P2UH7
    STL4P2UH7

    STL4P2UH7

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話(huà):010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠(chǎng)封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原裝正品假一賠十 電話(huà)010-62...

  • STL4P2UH7
    STL4P2UH7

    STL4P2UH7

  • 中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
    中山市翔美達(dá)電子科技有限公司

    聯(lián)系人:朱小姐

    電話(huà):155020706551802218672813590991023

    地址:火炬開(kāi)發(fā)區(qū)中山港大道99號(hào)金盛廣場(chǎng)1棟613室

  • 29999

  • ST

  • NA

  • 19+

  • -
  • 公司全新原裝正品,QQ153058080...

  • STL4P2UH7
    STL4P2UH7

    STL4P2UH7

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話(huà):19129493934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 30000

  • STMICROEL

  • CUT TAPE

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • STL4P2UH7
    STL4P2UH7

    STL4P2UH7

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人:張小姐

    電話(huà):1501927513013823545558

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場(chǎng)D座16層18B

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 569888

  • ST意法

  • N/A

  • 21+

  • -
  • 原裝正品現(xiàn)貨,支持BOM配單!

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共25條 
  • 1
STL4P2UH7 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET P-CH 20V 4A PWRFLAT2X2
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • DeepGATE?,STripFET? VII
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類(lèi)型
  • MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 功能
  • 邏輯電平門(mén)
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))
  • 4A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值)
  • 100 毫歐 @ 2A,4.5V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)
  • 1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg)
  • 4.8nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)
  • 510pF @ 10V
  • 功率 - 最大值
  • 2.4W
  • 工作溫度
  • 150°C(TJ)
  • 安裝類(lèi)型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 6-PowerWDFN
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • PowerFlat?(2x2)
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
STL4P2UH7 技術(shù)參數(shù)
  • STL4N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 8POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):2.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2.5 歐姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):10.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):175pF @ 100V 功率 - 最大值:38W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL4N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V 4.5A 8PWRFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VII 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):4.5A(Ta),18A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):70 毫歐 @ 2.25A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):7.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):408pF @ 50V 功率 - 最大值:2.9W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(3.3x3.3) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL4LN80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 3A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):3A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):4nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):110pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):38W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2.6 歐姆 @ 1.2A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(5x6) 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線(xiàn) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL45N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 22.5A 4PWRFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):3.8A(Ta),22.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):86 毫歐 @ 14.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):82nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3470pF @ 100V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFLAT?(8x8) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL42P6LLF6 功能描述:MOSFET P-CH 60V 42A 8POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F6 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):42A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):26 毫歐 @ 4.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):30nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3780pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線(xiàn) 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL58N3LLH5 STL5N80K5 STL-600-3-01 STL-600-8-01 STL60N10F7 STL60N32N3LL STL60N3LLH5 STL60NH3LL STL60P4LLF6 STL-6-250-3-01 STL-6-250-8-01 STL62P3LLH6 STL-6-350-3-01 STL-6-350-8-01 STL-6-450-3-01 STL-6-450-8-01 STL65DN3LLH5 STL65N3LLH5
配單專(zhuān)家

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