參數(shù)資料
型號(hào)： RN4991
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
中文描述： npn型硅外延型（厘進(jìn)程）硅外延式進(jìn)步黨（厘進(jìn)程）
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大小： 263K
代理商： RN4991
RN4991
2001-06-07
1
TOSHIBA Transistor
RN4991
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
And Driver Circuit Applications
z
Includeing two devices in US6 (ultra super mini type with 6 leads)
z
With built-in bias resistors
z
Simplify circuit design
z
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
Equivalent Circuit and Bias Resister Values
Q1 Maximum Ratings
(Ta = 25
°
C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
V
CBO
50
V
Collector-emitter voltage
V
CEO
50
V
Emitter-base voltage
V
EBO
5
V
Collector current
I
C
100
mA
Q2 Maximum Ratings
(Ta = 25
°
C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
V
CBO
50
V
Collector-emitter voltage
V
CEO
50
V
Emitter-base voltage
V
EBO
5
V
Collector current
I
C
100
mA
JEDEC
EIAJ
TOSHIBA
Weight: 6.8mg
―
―
2-2J1A
Unit: mm
R1: 10k
(Q1, Q2 Common)
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PDF描述
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參數(shù)描述
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RN4991FS(TPL3) 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 50mA 20volts 6Pin 10Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
RN4992AFS 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
RN4992FS 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
RN4992FS(TPL3) 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 50mA 20volts 6Pin 22Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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